Исследование процессов формирования слоистых полупроводниковых структур в кристаллах типа А3В5 с использованием технологии ионного легирования
Загрузка...
Дата
Authors
Название журнала
ISSN журнала
Название тома
Издатель
Витебский государственный технологический университет
DOI
Аннотация
Описание
уменьшение энергозатрат
имплантирование арсенида
энергозатраты
полупроводники
типы кристаллов
слоистые полупроводниковые структуры
арсенид галлия
кристаллы
технология легирования
структурно-фазовые состояния
ионная имплантация
ионное легирование
полупроводниковые структуры
тип А3В5
слоистые структуры
имплантирование арсенида
энергозатраты
полупроводники
типы кристаллов
слоистые полупроводниковые структуры
арсенид галлия
кристаллы
технология легирования
структурно-фазовые состояния
ионная имплантация
ионное легирование
полупроводниковые структуры
тип А3В5
слоистые структуры
Ключевые слова
Цитирование
Акимов, А. Н. Исследование процессов формирования слоистых полупроводниковых структур в кристаллах типа А3В5 с использованием технологии ионного легирования / А. Н. Акимов, Л. А. Власукова // Сборник докладов международной научно-технической конференции "Новые ресурсосберегающие технологии и улучшение экологической обстановки в легкой промышленности и машиностроении" / ВГТУ. - Витебск, 1998. - С. 141-142.