Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с послойным введением примесей типа внедрения по данным СЗМ
Загрузка...
Дата
Название журнала
ISSN журнала
Название тома
Издатель
Витебский государственный технологический университет
DOI
Аннотация
Проведено комплексное исследование ростовой полосчатой структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями типа внедрения - хромом (Cr) и медью (Cu). В режиме сканирующей микроскопии пьезоотклика (СМП) получены панорамные изображения слоистой структуры кристаллов TGS - TGS + Cr. В режиме сканирующей емкостной силовой микроскопии (СЕСМ) изучена переходная область между полосами номинально чистого TGS и TGS с примесью хрома. Применены СЗМ-методики к образцу TGS - TGS + Си, слоистая структура не обнаружена. Результаты СЗМ-исследований подтверждены рентгенофлуоресцентным анализом (РФлА).
Описание
сегнетоэлектрики
слоистые сегнетоэлектрики
сегнетоэлектрические кристаллы
TGS кристаллы
кристаллы триглицинсульфата
триглицинсульфат
структуры кристаллов
исследование структур
СЗМ-исследование
сканирующая зондовая микроскопия
атомно-силовая микроскопия
слоистые сегнетоэлектрики
сегнетоэлектрические кристаллы
TGS кристаллы
кристаллы триглицинсульфата
триглицинсульфат
структуры кристаллов
исследование структур
СЗМ-исследование
сканирующая зондовая микроскопия
атомно-силовая микроскопия
Ключевые слова
Цитирование
Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с послойным введением примесей типа внедрения по данным СЗМ / А. К. Лашкова, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина [и др.]
// Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии : сборник докладов ХIV Международной конференции, посвященной памяти Кузнецовой Татьяны Анатольевны, Минск, 21–24 октября 2025 г. / НАН Беларуси, ГНУ «Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова НАН Беларуси». – Минск, 2025. – С. 80–85. – Библиогр.: с. 85 (4 назв.).