Библиографическое описание:
Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с послойным введением примесей типа внедрения по данным СЗМ / А. К. Лашкова, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина [и др.]
// Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии : сборник докладов ХIV Международной конференции, посвященной памяти Кузнецовой Татьяны Анатольевны, Минск, 21–24 октября 2025 г. / НАН Беларуси, ГНУ «Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова НАН Беларуси». – Минск, 2025. – С. 80–85. – Библиогр.: с. 85 (4 назв.).
Аннотация:
Проведено комплексное исследование ростовой полосчатой структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями типа внедрения - хромом (Cr) и медью (Cu). В режиме сканирующей микроскопии пьезоотклика (СМП) получены панорамные изображения слоистой структуры кристаллов TGS - TGS + Cr. В режиме сканирующей емкостной силовой микроскопии (СЕСМ) изучена переходная область между полосами номинально чистого TGS и TGS с примесью хрома. Применены СЗМ-методики к образцу TGS - TGS + Си, слоистая структура не обнаружена. Результаты СЗМ-исследований подтверждены рентгенофлуоресцентным анализом (РФлА).
