Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с послойным введением примесей типа внедрения по данным СЗМ

Лашкова, А. К.; Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.; Ширяев, А. А.; Иванова, А. Г.; Шут, В. Н.; Кашевич, И. Ф.; Мозжаров, С. Е.

ISSN 2522-1647

dc.contributor.author	Лашкова, А. К.
dc.contributor.author	Гайнутдинов, Р. В.
dc.contributor.author	Толстихина, А. Л.
dc.contributor.author	Ширяев, А. А.
dc.contributor.author	Иванова, А. Г.
dc.contributor.author	Шут, В. Н.
dc.contributor.author	Кашевич, И. Ф.
dc.contributor.author	Мозжаров, С. Е.
dc.date.accessioned	2026-04-01T08:15:41Z
dc.date.available	2026-04-01T08:15:41Z
dc.date.issued	2025
dc.identifier.citation	Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с послойным введением примесей типа внедрения по данным СЗМ / А. К. Лашкова, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина [и др.] // Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии : сборник докладов ХIV Международной конференции, посвященной памяти Кузнецовой Татьяны Анатольевны, Минск, 21–24 октября 2025 г. / НАН Беларуси, ГНУ «Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова НАН Беларуси». – Минск, 2025. – С. 80–85. – Библиогр.: с. 85 (4 назв.).	ru_RU
dc.identifier.uri	https://rep.vstu.by/handle/123456789/22193
dc.description	сегнетоэлектрики	ru_RU
dc.description	слоистые сегнетоэлектрики	ru_RU
dc.description	сегнетоэлектрические кристаллы	ru_RU
dc.description	TGS кристаллы	ru_RU
dc.description	кристаллы триглицинсульфата	ru_RU
dc.description	триглицинсульфат	ru_RU
dc.description	структуры кристаллов	ru_RU
dc.description	исследование структур	ru_RU
dc.description	СЗМ-исследование	ru_RU
dc.description	сканирующая зондовая микроскопия	ru_RU
dc.description	атомно-силовая микроскопия	ru_RU
dc.description.abstract	Проведено комплексное исследование ростовой полосчатой структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями типа внедрения - хромом (Cr) и медью (Cu). В режиме сканирующей микроскопии пьезоотклика (СМП) получены панорамные изображения слоистой структуры кристаллов TGS - TGS + Cr. В режиме сканирующей емкостной силовой микроскопии (СЕСМ) изучена переходная область между полосами номинально чистого TGS и TGS с примесью хрома. Применены СЗМ-методики к образцу TGS - TGS + Си, слоистая структура не обнаружена. Результаты СЗМ-исследований подтверждены рентгенофлуоресцентным анализом (РФлА).	ru_RU
dc.format.mimetype	application/pdf	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	Витебский государственный технологический университет	ru_RU
dc.title	Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с послойным введением примесей типа внедрения по данным СЗМ	ru_RU
dc.type	Article	ru_RU