Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с послойным введением примесей типа внедрения по данным СЗМ
| dc.contributor.author | Лашкова, А. К. | |
| dc.contributor.author | Гайнутдинов, Р. В. | |
| dc.contributor.author | Толстихина, А. Л. | |
| dc.contributor.author | Ширяев, А. А. | |
| dc.contributor.author | Иванова, А. Г. | |
| dc.contributor.author | Шут, В. Н. | |
| dc.contributor.author | Кашевич, И. Ф. | |
| dc.contributor.author | Мозжаров, С. Е. | |
| dc.date.accessioned | 2026-04-01T08:15:41Z | |
| dc.date.available | 2026-04-01T08:15:41Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.description | сегнетоэлектрики | ru_RU |
| dc.description | слоистые сегнетоэлектрики | ru_RU |
| dc.description | сегнетоэлектрические кристаллы | ru_RU |
| dc.description | TGS кристаллы | ru_RU |
| dc.description | кристаллы триглицинсульфата | ru_RU |
| dc.description | триглицинсульфат | ru_RU |
| dc.description | структуры кристаллов | ru_RU |
| dc.description | исследование структур | ru_RU |
| dc.description | СЗМ-исследование | ru_RU |
| dc.description | сканирующая зондовая микроскопия | ru_RU |
| dc.description | атомно-силовая микроскопия | ru_RU |
| dc.description.abstract | Проведено комплексное исследование ростовой полосчатой структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями типа внедрения - хромом (Cr) и медью (Cu). В режиме сканирующей микроскопии пьезоотклика (СМП) получены панорамные изображения слоистой структуры кристаллов TGS - TGS + Cr. В режиме сканирующей емкостной силовой микроскопии (СЕСМ) изучена переходная область между полосами номинально чистого TGS и TGS с примесью хрома. Применены СЗМ-методики к образцу TGS - TGS + Си, слоистая структура не обнаружена. Результаты СЗМ-исследований подтверждены рентгенофлуоресцентным анализом (РФлА). | ru_RU |
| dc.format.mimetype | application/pdf | ru_RU |
| dc.identifier.citation | Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с послойным введением примесей типа внедрения по данным СЗМ / А. К. Лашкова, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина [и др.] // Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии : сборник докладов ХIV Международной конференции, посвященной памяти Кузнецовой Татьяны Анатольевны, Минск, 21–24 октября 2025 г. / НАН Беларуси, ГНУ «Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова НАН Беларуси». – Минск, 2025. – С. 80–85. – Библиогр.: с. 85 (4 назв.). | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.vstu.by/handle/123456789/22193 | |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Витебский государственный технологический университет | ru_RU |
| dc.title | Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с послойным введением примесей типа внедрения по данным СЗМ | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |