Описание штарковских уровней мультиплетов иона Tm3+ в CaYAlO4
Загрузка...
Дата
Название журнала
ISSN журнала
Название тома
Издатель
Витебский государственный технологический университет
DOI
Аннотация
Рассматривается теория кристаллического поля в приближении слабого, промежуточного и сильного конфигурационного взаимодействия.
Описание
лазерные материалы
кристаллы с примесями
примеси лантаноидов
ионы кристаллов
мультиплеты ионов
расщепление мультиплетов
штарковское расщепление
штарковские структуры
конфигурационные взаимодействия
кристаллическое поле
кристаллы с примесями
примеси лантаноидов
ионы кристаллов
мультиплеты ионов
расщепление мультиплетов
штарковское расщепление
штарковские структуры
конфигурационные взаимодействия
кристаллическое поле
Ключевые слова
Цитирование
Фомичева, Л. А. Описание штарковских уровней мультиплетов иона Tm3+ в CaYAlO4 / Л. А. Фомичева, Е. Б. Дунина, А. A. Корниенко // Квантовая электроника : материалы XIII Международной научно-технической конференции, Минск, 22-26 ноября 2021 г. / БГУ [и др.]. - Минск, 2021. - С. 174-176.