Описание штарковских уровней мультиплетов иона Tm3+ в CaYAlO4
| dc.contributor.author | Фомичева, Л. А. | |
| dc.contributor.author | Дунина, Е. Б. | |
| dc.contributor.author | Корниенко, А. А. | |
| dc.date.accessioned | 2024-05-30T13:01:57Z | |
| dc.date.available | 2024-05-30T13:01:57Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.description | лазерные материалы | |
| dc.description | кристаллы с примесями | |
| dc.description | примеси лантаноидов | |
| dc.description | ионы кристаллов | |
| dc.description | мультиплеты ионов | |
| dc.description | расщепление мультиплетов | |
| dc.description | штарковское расщепление | |
| dc.description | штарковские структуры | |
| dc.description | конфигурационные взаимодействия | |
| dc.description | кристаллическое поле | |
| dc.description.abstract | Рассматривается теория кристаллического поля в приближении слабого, промежуточного и сильного конфигурационного взаимодействия. | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | ru-RU |
| dc.identifier.citation | Фомичева, Л. А. Описание штарковских уровней мультиплетов иона Tm3+ в CaYAlO4 / Л. А. Фомичева, Е. Б. Дунина, А. A. Корниенко // Квантовая электроника : материалы XIII Международной научно-технической конференции, Минск, 22-26 ноября 2021 г. / БГУ [и др.]. - Минск, 2021. - С. 174-176. | ru-RU |
| dc.identifier.issn | ru-RU | |
| dc.identifier.uri | http://rep.vstu.by/handle/123456789/18670 | |
| dc.language.iso | rus | ru-RU |
| dc.publisher | Витебский государственный технологический университет | ru-RU |
| dc.source | Квантовая электроника : материалы XIII Международной научно-технической конференции, Минск, 22-26 ноября 2021 г. / БГУ [и др.] | ru-RU |
| dc.title | Описание штарковских уровней мультиплетов иона Tm3+ в CaYAlO4 | ru-RU |
| dc.type | Article | ru-RU |