Описание штарковских уровней мультиплетов иона Tm3+ в CaYAlO4

Фомичева, Л. А.; Дунина, Е. Б.; Корниенко, А. А.

ISSN 2522-1647

Описание штарковских уровней мультиплетов иона Tm3+ в CaYAlO4

Фомичева, Л. А.; Дунина, Е. Б.; Корниенко, А. А.

URI: http://rep.vstu.by/handle/123456789/18670

Дата: 2021

Библиографическое описание:

Фомичева, Л. А. Описание штарковских уровней мультиплетов иона Tm3+ в CaYAlO4 / Л. А. Фомичева, Е. Б. Дунина, А. A. Корниенко // Квантовая электроника : материалы XIII Международной научно-технической конференции, Минск, 22-26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИПФП им. А. Н. Севченко БГУ ; Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси ; Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. - Минск, 2021. - С. 174-176.

Аннотация:

Рассматривается теория кристаллического поля в приближении слабого, промежуточного и сильного конфигурационного взаимодействия.

Ключевые слова:

лазерные материалы; кристаллы с примесями; примеси лантаноидов; ионы кристаллов; мультиплеты ионов; расщепление мультиплетов; штарковское расщепление; штарковские структуры; конфигурационные взаимодействия; кристаллическое поле

Показать полную информацию