Описание штарковских уровней мультиплетов иона Tm3+ в CaYAlO4

Фомичева, Л. А.; Дунина, Е. Б.; Корниенко, А. А.

ISSN 2522-1647

dc.contributor.author	Фомичева, Л. А.
dc.contributor.author	Дунина, Е. Б.
dc.contributor.author	Корниенко, А. А.
dc.date.accessioned	2024-05-30T13:01:57Z
dc.date.available	2024-05-30T13:01:57Z
dc.date.issued	2021
dc.identifier.citation	Фомичева, Л. А. Описание штарковских уровней мультиплетов иона Tm3+ в CaYAlO4 / Л. А. Фомичева, Е. Б. Дунина, А. A. Корниенко // Квантовая электроника : материалы XIII Международной научно-технической конференции, Минск, 22-26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИПФП им. А. Н. Севченко БГУ, Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. - Минск, 2021. - С. 174-176.	ru-RU
dc.identifier.issn		ru-RU
dc.identifier.uri	http://rep.vstu.by/handle/123456789/18670
dc.description	лазерные материалы
dc.description	кристаллы с примесями
dc.description	примеси лантаноидов
dc.description	ионы кристаллов
dc.description	мультиплеты ионов
dc.description	расщепление мультиплетов
dc.description	штарковское расщепление
dc.description	штарковские структуры
dc.description	конфигурационные взаимодействия
dc.description	кристаллическое поле
dc.description.abstract	Рассматривается теория кристаллического поля в приближении слабого, промежуточного и сильного конфигурационного взаимодействия.
dc.format.mimetype	application/pdf	ru-RU
dc.language.iso	rus	ru-RU
dc.publisher	Витебский государственный технологический университет	ru-RU
dc.source	Квантовая электроника : материалы XIII Международной научно-технической конференции, Минск, 22-26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИПФП им. А. Н. Севченко БГУ, Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований	ru-RU
dc.title	Описание штарковских уровней мультиплетов иона Tm3+ в CaYAlO4	ru-RU
dc.type	Article	ru-RU