Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями внедрения
Загрузка...
Дата
Название журнала
ISSN журнала
Название тома
Издатель
Витебский государственный технологический университет
DOI
Аннотация
Описание
сегнетоэлектрики
сегнетоэлектрические кристаллы
кристаллы триглицинсульфата
триглицинсульфат
структуры кристаллов
доменные структуры
ростовые полосчатые структуры
исследование структур
методы исследования
СЗМ-метод
сегнетоэлектрические кристаллы
кристаллы триглицинсульфата
триглицинсульфат
структуры кристаллов
доменные структуры
ростовые полосчатые структуры
исследование структур
методы исследования
СЗМ-метод
Ключевые слова
Цитирование
Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями внедрения / А. К. Лашкова, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина [и др.]
// Наука – образованию, производству, экономике : материалы 78-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 22–23 января 2026 г. / УО «ВГУ им. П. М. Машерова». – Витебск, 2026. – С. 33–35. – Библиогр.: с. 35 (3 назв.).