<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">
Сейчас идет активное тестирование репозитория. Сообщайте обо всех найденных ошибках через техническую поддержку.

Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями внедрения

Загрузка...
Изображение-миниатюра

Дата

Название журнала

ISSN журнала

Название тома

Издатель

Витебский государственный технологический университет

DOI

Аннотация

Рубрики

Цитирование

Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями внедрения / А. К. Лашкова, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 78-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 22–23 января 2026 г. / УО «ВГУ им. П. М. Машерова». – Витебск, 2026. – С. 33–35. – Библиогр.: с. 35 (3 назв.).

Подтверждение

Обзор

Дополнено

Упоминается в