Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями внедрения
| dc.contributor.author | Лашкова, А. К. | |
| dc.contributor.author | Гайнутдинов, Р. В. | |
| dc.contributor.author | Толстихина, А. Л. | |
| dc.contributor.author | Ширяев, А. А. | |
| dc.contributor.author | Иванова, А. Г. | |
| dc.contributor.author | Шут, В. Н. | |
| dc.contributor.author | Кашевич, И. Ф. | |
| dc.contributor.author | Мозжаров, С. Е. | |
| dc.contributor.author | Сипаков, И. Е. | |
| dc.date.accessioned | 2026-02-03T08:00:02Z | |
| dc.date.available | 2026-02-03T08:00:02Z | |
| dc.date.issued | 2026 | |
| dc.description | сегнетоэлектрики | ru_RU |
| dc.description | сегнетоэлектрические кристаллы | ru_RU |
| dc.description | кристаллы триглицинсульфата | ru_RU |
| dc.description | триглицинсульфат | ru_RU |
| dc.description | структуры кристаллов | ru_RU |
| dc.description | доменные структуры | ru_RU |
| dc.description | ростовые полосчатые структуры | ru_RU |
| dc.description | исследование структур | ru_RU |
| dc.description | методы исследования | ru_RU |
| dc.description | СЗМ-метод | ru_RU |
| dc.format.mimetype | application/pdf | ru_RU |
| dc.identifier.citation | Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями внедрения / А. К. Лашкова, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 78-й Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 22–23 января 2026 г. / УО «ВГУ им. П. М. Машерова». – Витебск, 2026. – С. 33–35. – Библиогр.: с. 35 (3 назв.). | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.vstu.by/handle/123456789/21785 | |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Витебский государственный технологический университет | ru_RU |
| dc.title | Структура сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесями внедрения | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |