Особенности формирования доменной структуры на границе слоев кристаллов ТГС, легированных хромом
| dc.contributor.author | Толстихина, А. Л. | |
| dc.contributor.author | Кашевич, И. Ф. | |
| dc.contributor.author | Белугина, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Мозжаров, С. Е. | |
| dc.contributor.author | Шут, В. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-21T07:41:16Z | |
| dc.date.available | 2019-02-21T07:41:16Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.description | структуры кристаллов | |
| dc.description | доменные структуры | |
| dc.description | исследование структур | |
| dc.description | сегнетоэлектрические кристаллы | |
| dc.description | двухслойные кристаллы ТГС | |
| dc.description | формирование структур | |
| dc.description | кристаллы триглицинсульфата | |
| dc.description | выращивание кристаллов | |
| dc.description | кристаллы ТГС | |
| dc.description | легированные хромом кристаллы | |
| dc.description.abstract | ||
| dc.format.mimetype | application/pdf | ru-RU |
| dc.identifier.citation | Особенности формирования доменной структуры на границе слоев кристаллов ТГС, легированных хромом / А. Л. Толстихина [и др.] // Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси". - Витебск, 2017. - Ч. 2. - С. 167-169. | ru-RU |
| dc.identifier.issn | ru-RU | |
| dc.identifier.uri | http://rep.vstu.by/handle/123456789/10308 | |
| dc.language.iso | rus | ru-RU |
| dc.publisher | Витебский государственный технологический университет | ru-RU |
| dc.source | Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси" | ru-RU |
| dc.title | Особенности формирования доменной структуры на границе слоев кристаллов ТГС, легированных хромом | ru-RU |
| dc.type | Article | ru-RU |