<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">
Сейчас идет активное тестирование репозитория. Сообщайте обо всех найденных ошибках через техническую поддержку.

Особенности формирования доменной структуры на границе слоев кристаллов ТГС, легированных хромом

Загрузка...
Изображение-миниатюра

Дата

Название журнала

ISSN журнала

Название тома

Издатель

Витебский государственный технологический университет

DOI

Аннотация

Описание

структуры кристаллов
доменные структуры
исследование структур
сегнетоэлектрические кристаллы
двухслойные кристаллы ТГС
формирование структур
кристаллы триглицинсульфата
выращивание кристаллов
кристаллы ТГС
легированные хромом кристаллы

Ключевые слова

Цитирование

Особенности формирования доменной структуры на границе слоев кристаллов ТГС, легированных хромом / А. Л. Толстихина [и др.] // Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси". - Витебск, 2017. - Ч. 2. - С. 167-169.

Подтверждение

Обзор

Дополнено

Упоминается в