Влияние гамма-излучения на параметры N-канальных МОП-транзисторов c КНИ-структурой
| dc.contributor.author | Коршунов, Ф. П. | |
| dc.contributor.author | Огородников, Д. А. | |
| dc.contributor.author | Богатырев, Ю. В. | |
| dc.contributor.author | Сорока, С. А. | |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-21T07:25:30Z | |
| dc.date.available | 2019-02-21T07:25:30Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.description | транзисторы | |
| dc.description | технология КНИ | |
| dc.description | полупроводниковые приборы | |
| dc.description | производство транзисторов | |
| dc.description | технологии производства | |
| dc.description | гамма-излучения | |
| dc.description | МОП/КНИ-транзисторы | |
| dc.description | структура транзисторов | |
| dc.description | КНИ-структура | |
| dc.description | N-канальные МОП/КНИ-транзисторы | |
| dc.description | технология «кремний на изоляторе» | |
| dc.description | параметры транзисторов | |
| dc.description.abstract | ||
| dc.format.mimetype | application/pdf | ru-RU |
| dc.identifier.citation | Влияние гамма-излучения на параметры N-канальных МОП-транзисторов c КНИ-структурой / Ф. П. Коршунов [и др.] // Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси". - Витебск, 2017. - Ч. 2. - С. 125-127. | ru-RU |
| dc.identifier.issn | ru-RU | |
| dc.identifier.uri | http://rep.vstu.by/handle/123456789/10294 | |
| dc.language.iso | rus | ru-RU |
| dc.publisher | Витебский государственный технологический университет | ru-RU |
| dc.source | Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси" | ru-RU |
| dc.title | Влияние гамма-излучения на параметры N-канальных МОП-транзисторов c КНИ-структурой | ru-RU |
| dc.type | Article | ru-RU |