Влияние гамма-излучения на параметры N-канальных МОП-транзисторов c КНИ-структурой
Загрузка...
Дата
Название журнала
ISSN журнала
Название тома
Издатель
Витебский государственный технологический университет
DOI
Аннотация
Описание
транзисторы
технология КНИ
полупроводниковые приборы
производство транзисторов
технологии производства
гамма-излучения
МОП/КНИ-транзисторы
структура транзисторов
КНИ-структура
N-канальные МОП/КНИ-транзисторы
технология «кремний на изоляторе»
параметры транзисторов
технология КНИ
полупроводниковые приборы
производство транзисторов
технологии производства
гамма-излучения
МОП/КНИ-транзисторы
структура транзисторов
КНИ-структура
N-канальные МОП/КНИ-транзисторы
технология «кремний на изоляторе»
параметры транзисторов
Ключевые слова
Цитирование
Влияние гамма-излучения на параметры N-канальных МОП-транзисторов c КНИ-структурой / Ф. П. Коршунов [и др.] // Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси". - Витебск, 2017. - Ч. 2. - С. 125-127.