Formation of domain configurations of doped layered TGS ferroelectric crystals
| dc.contributor.author | Tolstikhina, A. L. | |
| dc.contributor.author | Gainutdinov, R. V. | |
| dc.contributor.author | Lashkova, А. К. | |
| dc.contributor.author | Zolotov, D. A. | |
| dc.contributor.author | Roshchin, B. S. | |
| dc.contributor.author | Shut, V. N. | |
| dc.contributor.author | Mozzharov, S. E. | |
| dc.contributor.author | Kashevich, I. F. | |
| dc.contributor.author | Шут, В. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2025-07-02T07:52:34Z | |
| dc.date.available | 2025-07-02T07:52:34Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.description | сегнетоэлектрики | ru_RU |
| dc.description | сегнетоэлектрические кристаллы | |
| dc.description | слоистые кристаллы | |
| dc.description | легированные кристаллы | |
| dc.description | кристаллы триглицинсульфата | |
| dc.description | кристаллы TGS | |
| dc.description | примеси в кристаллах | |
| dc.description | доменные стенки | |
| dc.description | доменная структура | |
| dc.description | формирование доменной структуры | |
| dc.description | анализ формирования | |
| dc.description | рентгенофлуоресцентный анализ | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | ru_RU |
| dc.identifier.citation | Formation of domain configurations of doped layered TGS ferroelectric crystals / A. L. Tolstikhina, R. V. Gainutdinov, A. K. Lashkova [et al.] // Актуальные проблемы физики твердого тела = Аctual problems of solid state physics : сборник тезисов докладов Х Международной научной конференции, Минск, 22-26 мая 2023 г. / НАН Беларуси, НПЦ НАН Беларуси по материаловедению. - Минск, 2023. - С. 164. - Библиогр.: с. 164 (1 назв.). | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.vstu.by/handle/123456789/20657 | |
| dc.language.iso | en | ru_RU |
| dc.publisher | Витебский государственный технологический университет | ru_RU |
| dc.title | Formation of domain configurations of doped layered TGS ferroelectric crystals | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |