<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">
Сейчас идет активное тестирование репозитория. Сообщайте обо всех найденных ошибках через техническую поддержку.

Formation of domain configurations of doped layered TGS ferroelectric crystals

Загрузка...
Изображение-миниатюра

Дата

Название журнала

ISSN журнала

Название тома

Издатель

Витебский государственный технологический университет

DOI

Аннотация

Описание

сегнетоэлектрики
сегнетоэлектрические кристаллы
слоистые кристаллы
легированные кристаллы
кристаллы триглицинсульфата
кристаллы TGS
примеси в кристаллах
доменные стенки
доменная структура
формирование доменной структуры
анализ формирования
рентгенофлуоресцентный анализ

Ключевые слова

Цитирование

Formation of domain configurations of doped layered TGS ferroelectric crystals / A. L. Tolstikhina, R. V. Gainutdinov, A. K. Lashkova [et al.] // Актуальные проблемы физики твердого тела = Аctual problems of solid state physics : сборник тезисов докладов Х Международной научной конференции, Минск, 22-26 мая 2023 г. / НАН Беларуси, НПЦ НАН Беларуси по материаловедению. - Минск, 2023. - С. 164. - Библиогр.: с. 164 (1 назв.).

Подтверждение

Обзор

Дополнено

Упоминается в