Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr
| dc.contributor.author | Толстихина, А. Л. | |
| dc.contributor.author | Рощин, Б. С. | |
| dc.contributor.author | Кашевич, И. Ф. | |
| dc.contributor.author | Шут, В. Н. | |
| dc.contributor.author | Мозжаров, С. Е. | |
| dc.date.accessioned | 2025-02-18T11:16:48Z | |
| dc.date.available | 2025-02-18T11:16:48Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.description | кристаллы | ru_RU |
| dc.description | монокристаллы | |
| dc.description | легированные кристаллы | |
| dc.description | сегнетоэлектрические кристаллы | |
| dc.description | примеси кристаллов | |
| dc.description | распределение примесей | |
| dc.description | доменные границы | |
| dc.description | формирование границ | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | ru_RU |
| dc.identifier.citation | Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr / А. Л. Толстихина, Б. С. Рощин, И. Ф. Кашевич [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы 74 Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 18 февраля 2022 г. / ВГУ им. П. М. Машерова. - Витебск, 2022. - С. 46-48. - Библиогр.: с. 48 (1 назв.). | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://rep.vstu.by/handle/123456789/20299 | |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Витебский государственный технологический университет | ru_RU |
| dc.title | Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |