Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr
Загрузка...
Файлы
Дата
Название журнала
ISSN журнала
Название тома
Издатель
Витебский государственный технологический университет
DOI
Аннотация
Описание
кристаллы
монокристаллы
легированные кристаллы
сегнетоэлектрические кристаллы
примеси кристаллов
распределение примесей
доменные границы
формирование границ
монокристаллы
легированные кристаллы
сегнетоэлектрические кристаллы
примеси кристаллов
распределение примесей
доменные границы
формирование границ
Ключевые слова
Цитирование
Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr / А. Л. Толстихина, Б. С. Рощин, И. Ф. Кашевич [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы 74 Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 18 февраля 2022 г. / ВГУ им. П. М. Машерова. - Витебск, 2022. - С. 46-48. - Библиогр.: с. 48 (1 назв.).