Влияние структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики
| dc.contributor.author | Алешин, А. Н. | |
| dc.contributor.author | Рубан, О. А. | |
| dc.contributor.author | Табачкова, Н. Ю. | |
| dc.date.accessioned | 2019-07-01T12:50:31Z | |
| dc.date.available | 2019-07-01T12:50:31Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.description | частотные характеристики | |
| dc.description | характеристики гетероструктур | |
| dc.description | исследования свойств | |
| dc.description | транзисторы | |
| dc.description | свойства транзисторов | |
| dc.description | структурные свойства | |
| dc.description | электро-физические свойства | |
| dc.description | структурные релаксации | |
| dc.description | нитрид-галлиевые гетероструктуры | |
| dc.description.abstract | ||
| dc.format.mimetype | application/pdf | ru-RU |
| dc.identifier.citation | Алешин, А. Н. Влияние структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики / А. Н. Алешин, О. А. Рубан, Н. Ю. Табачкова // Международный симпозиум "Перспективные материалы и технологии" : материалы симпозиума, Брест, 27-31 мая 2019 г. / Национальная академия наук Беларуси, Министерство образования Республики Беларусь, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследова. - Витебск, 2019. - С. 285-287. | ru-RU |
| dc.identifier.issn | ru-RU | |
| dc.identifier.uri | http://rep.vstu.by/handle/123456789/11197 | |
| dc.language.iso | rus | ru-RU |
| dc.publisher | Витебский государственный технологический университет | ru-RU |
| dc.source | Международный симпозиум "Перспективные материалы и технологии" : материалы симпозиума, Брест, 27-31 мая 2019 г. / Национальная академия наук Беларуси, Министерство образования Республики Беларусь, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследова | ru-RU |
| dc.title | Влияние структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики | ru-RU |
| dc.type | Article | ru-RU |