Влияние структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики
Загрузка...
Дата
Название журнала
ISSN журнала
Название тома
Издатель
Витебский государственный технологический университет
DOI
Аннотация
Описание
частотные характеристики
характеристики гетероструктур
исследования свойств
транзисторы
свойства транзисторов
структурные свойства
электро-физические свойства
структурные релаксации
нитрид-галлиевые гетероструктуры
характеристики гетероструктур
исследования свойств
транзисторы
свойства транзисторов
структурные свойства
электро-физические свойства
структурные релаксации
нитрид-галлиевые гетероструктуры
Ключевые слова
Цитирование
Алешин, А. Н. Влияние структурной релаксации в HEMT на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на их частотные характеристики / А. Н. Алешин, О. А. Рубан, Н. Ю. Табачкова // Международный симпозиум "Перспективные материалы и технологии" : материалы симпозиума, Брест, 27-31 мая 2019 г. / Национальная академия наук Беларуси, Министерство образования Республики Беларусь, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследова. - Витебск, 2019. - С. 285-287.