Исследование процессов формирования слоистых полупроводниковых структур в кристаллах типа А3В5 с использованием технологии ионного легирования

Акимов, А. Н.; Власукова, Л. А.

ISSN 2522-1647

dc.contributor.author	Акимов, А. Н.
dc.contributor.author	Власукова, Л. А.
dc.date.accessioned	2018-06-12T09:16:47Z
dc.date.available	2018-06-12T09:16:47Z
dc.date.issued	1998
dc.identifier.citation	Акимов, А. Н. Исследование процессов формирования слоистых полупроводниковых структур в кристаллах типа А3В5 с использованием технологии ионного легирования / А. Н. Акимов, Л. А. Власукова // Сборник докладов международной научно-технической конференции "Новые ресурсосберегающие технологии и улучшение экологической обстановки в легкой промышленности и машиностроении" / ВГТУ. - Витебск, 1998. - С. 141-142.	ru-RU
dc.identifier.issn		ru-RU
dc.identifier.uri	http://rep.vstu.by/handle/123456789/8143
dc.description	уменьшение энергозатрат
dc.description	имплантирование арсенида
dc.description	энергозатраты
dc.description	полупроводники
dc.description	типы кристаллов
dc.description	слоистые полупроводниковые структуры
dc.description	арсенид галлия
dc.description	кристаллы
dc.description	технология легирования
dc.description	структурно-фазовые состояния
dc.description	ионная имплантация
dc.description	ионное легирование
dc.description	полупроводниковые структуры
dc.description	тип А3В5
dc.description	слоистые структуры
dc.description.abstract
dc.format.mimetype	application/pdf	ru-RU
dc.language.iso	rus	ru-RU
dc.publisher	Витебский государственный технологический университет	ru-RU
dc.source	Сборник докладов международной научно-технической конференции "Новые ресурсосберегающие технологии и улучшение экологической обстановки в легкой промышленности и машиностроении" / ВГТУ	ru-RU
dc.title	Исследование процессов формирования слоистых полупроводниковых структур в кристаллах типа А3В5 с использованием технологии ионного легирования	ru-RU
dc.type	Article	ru-RU