Доменные границы и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах TGS

Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Лашкова, А. К.; Золотов, Д. А.; Рощин, Б. С.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.; Сипаков, И. Е.

ISSN 2522-1647

dc.contributor.author	Толстихина, А. Л.
dc.contributor.author	Гайнутдинов, Р. В.
dc.contributor.author	Лашкова, А. К.
dc.contributor.author	Золотов, Д. А.
dc.contributor.author	Рощин, Б. С.
dc.contributor.author	Шут, В. Н.
dc.contributor.author	Мозжаров, С. Е.
dc.contributor.author	Кашевич, И. Ф.
dc.contributor.author	Сипаков, И. Е.
dc.date.accessioned	2025-06-24T07:37:55Z
dc.date.available	2025-06-24T07:37:55Z
dc.date.issued	2025
dc.identifier.citation	Доменные границы и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах TGS = Domain boundaries and topological defects in layered ferroelectric TGS crystals / А. Л. Толстихина, Р. В. Гайнутдинов, А. К. Лашкова [и др.] // Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Международной научной конференции, Минск, 16-18 октября 2024 г. / БГУ. - Минск, 2025. - С. 325-330. - Библиогр.: с. 330 (7 назв.).	ru_RU
dc.identifier.uri	https://rep.vstu.by/handle/123456789/20620
dc.description	кристаллы; сегнетоэлектрические кристаллы; кристаллы TGS; TGS кристаллы; примеси в кристаллах; дефекты в кристаллах; топологические дефекты; доменные границы; доменная структура; регулярная ламинарная доменная структура; исследование доменной структуры; ниобат лития; триглицинсульфат	ru_RU
dc.description.abstract	Исследовано влияние периодического синусоидального распределения неизоморфной примеси ионов хрома в слоистых кристаллах TGS-TGS+Cr, выращиваемых из раствора, на формирование доменной структуры и характер доменных границ.	ru_RU
dc.format.mimetype	application/pdf	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	Витебский государственный технологический университет	ru_RU
dc.title	Доменные границы и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах TGS	ru_RU
dc.type	Article	ru_RU