Доменные границы и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах TGS

Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Лашкова, А. К.; Золотов, Д. А.; Рощин, Б. С.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.; Сипаков, И. Е.

ISSN 2522-1647

Доменные границы и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах TGS

Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Лашкова, А. К.; Золотов, Д. А.; Рощин, Б. С.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.; Сипаков, И. Е.

URI: https://rep.vstu.by/handle/123456789/20620

Дата: 2025

Библиографическое описание:

Доменные границы и топологические дефекты в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах TGS = Domain boundaries and topological defects in layered ferroelectric TGS crystals / А. Л. Толстихина, Р. В. Гайнутдинов, А. К. Лашкова [и др.] // Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Международной научной конференции, Минск, 16-18 октября 2024 г. / БГУ. - Минск, 2025. - С. 325-330. - Библиогр.: с. 330 (7 назв.).

Аннотация:

Исследовано влияние периодического синусоидального распределения неизоморфной примеси ионов хрома в слоистых кристаллах TGS-TGS+Cr, выращиваемых из раствора, на формирование доменной структуры и характер доменных границ.

Ключевые слова:

кристаллы; сегнетоэлектрические кристаллы; кристаллы TGS; TGS кристаллы; примеси в кристаллах; дефекты в кристаллах; топологические дефекты; доменные границы; доменная структура; регулярная ламинарная доменная структура; исследование доменной структуры; ниобат лития; триглицинсульфат

Показать полную информацию