Влияние межконфигурационного взаимодействия на расщепление мультиплетов иона U[4+] в кристалле UF{4}

Abstract

В работе рассматривается теория кристаллического поля в приближении слабого, промежуточного и сильного конфигурационного взаимодействия. Все расчёты выполнены для кристалла UF4. Параметры кристаллического поля для всех приближений трактуются как подгоночные и рассчитываются по методу наименьших квадратов на основании сравнения экспериментальных и вычисленных значений. Полученные результаты подтвердили важную роль возбуждённых конфигураций в формировании штарковского расщепления мультиплетов. Для всех трёх приближений кристаллического поля получены значения энергий мультиплетов, а также параметры кристаллического поля.