Обратимое разупрочнение монокристаллов Si, ZnS, C60, стимулированное малодозовым (D < 1 cGy) бета-облучением при комнатной температуре
| dc.contributor.author | Головин, Ю. И. | |
| dc.contributor.author | Дмитриевский, А. А. | |
| dc.contributor.author | Кузьмицкая, М. А. | |
| dc.contributor.author | Пушнин, И. А. | |
| dc.date.accessioned | 2020-06-09T08:59:19Z | |
| dc.date.available | 2020-06-09T08:59:19Z | |
| dc.date.issued | 2004 | |
| dc.description | обратимое разупрочнение | |
| dc.description | облучение при комнатной температуре | |
| dc.description | малодозовое бета-облучение | |
| dc.description | монокристаллы C60 | |
| dc.description | разупрочнение монокристаллов | |
| dc.description | монокристаллы Si | |
| dc.description | бета-облучение | |
| dc.description | монокристаллы ZnS | |
| dc.description.abstract | ||
| dc.format.mimetype | application/pdf | ru-RU |
| dc.identifier.citation | Обратимое разупрочнение монокристаллов Si, ZnS, C60, стимулированное малодозовым (D < 1 cGy) бета-облучением при комнатной температуре / Ю. И. Головин [и др.] // 43 Международная конференция "Актуальные проблемы прочности" : материалы конференции, Витебск, 27 сентября - 1 октября 2004 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ". - Витебск, 2004. - Ч. 2. - С. 54-55. | ru-RU |
| dc.identifier.issn | ru-RU | |
| dc.identifier.uri | http://rep.vstu.by/handle/123456789/12813 | |
| dc.language.iso | rus | ru-RU |
| dc.publisher | Витебский государственный технологический университет | ru-RU |
| dc.source | 43 Международная конференция "Актуальные проблемы прочности" : материалы конференции, Витебск, 27 сентября - 1 октября 2004 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ" | ru-RU |
| dc.title | Обратимое разупрочнение монокристаллов Si, ZnS, C60, стимулированное малодозовым (D < 1 cGy) бета-облучением при комнатной температуре | ru-RU |
| dc.type | Article | ru-RU |