<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">
Сейчас идет активное тестирование репозитория. Сообщайте обо всех найденных ошибках через техническую поддержку.

Образование дефектов структуры в тонких плёнках прямозонных полупроводников Cu(In,Ga)Se[2], облученных ионами водорода

Загрузка...
Изображение-миниатюра

Дата

Название журнала

ISSN журнала

Название тома

Издатель

Витебский государственный технологический университет

DOI

Аннотация

Описание

облучение ионами
тонкие плёнки Cu(In
Ga)Se[2]
дефекты структур
образование дефектов
прямозонные полупроводники
структуры плёнок
ионы водорода
облученные полупроводники

Ключевые слова

Цитирование

Образование дефектов структуры в тонких плёнках прямозонных полупроводников Cu(In,Ga)Se[2], облученных ионами водорода / О. М. Бородавченко [и др.] // Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси". - Витебск, 2017. - Ч. 2. - С. 158-160.

Подтверждение

Обзор

Дополнено

Упоминается в