<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">
Сейчас идет активное тестирование репозитория. Сообщайте обо всех найденных ошибках через техническую поддержку.

Formation of domain configurations of doped layered TGS ferroelectric crystals

Загрузка...
Изображение-миниатюра

Дата

Название журнала

ISSN журнала

Название тома

Издатель

Витебский государственный технологический университет

DOI

Аннотация

A comprehensive study of the growth striped structure of triglycine sulfate crystals doped layer by layer with an impurity of chromium ions has been carried out. Data on the width and impurity composition of the bands were obtained by X-ray fluorescence analysis and X-ray topography.

Описание

сегнетоэлектрики
сегнетоэлектрические кристаллы
слоистые кристаллы
легированные кристаллы
кристаллы триглицинсульфата
кристаллы TGS
TGS кристаллы
примеси в кристаллах
доменные стенки
доменная структура
формирование доменной структуры
анализ формирования
рентгенофлуоресцентный анализ

Ключевые слова

Цитирование

Formation of domain configurations of doped layered TGS ferroelectric crystals / A. L. Tolstikhina, R. V. Gainutdinov, A. K. Lashkova [et al.] // Актуальные проблемы физики твердого тела = Аctual problems of solid state physics : сборник докладов Х Международной научной конференции, Минск, 22-26 мая 2023 г. / НАН Беларуси, НПЦ НАН Беларуси по материаловедению. - Минск, 2023. - С. 331-334. - Библиогр.: с. 334 (7 назв.).

Подтверждение

Обзор

Дополнено

Упоминается в