Приложение на С# для определения вероятностей излучательных переходов с отдельных компонент возбужденного уровня [4]F[3/2] иона ND[3+] по температурной зависимости времени жизни

Abstract

Получено теоретическое описание экспериментальной зависимости времени жизни возбужденного мультиплета [4]F[3/2] иона Nd[3+] в кристалле LiYF[4], предложен метод определения вероятностей переходов с отдельных штарковских компонент возбужденного уровня. Разработано приложение на C# с удобным интерфейсом для компьютерного моделирования температурной зависимости времени жизни возбужденного уровня [4]F[3/2] иона Nd[3+] в кристалле LiYF[4].