Сейчас идет активное тестирование репозитория. Сообщайте обо всех найденных ошибках через техническую поддержку.

Особенности формирования доменной структуры на границе слоев кристаллов ТГС, легированных хромом

Файлы

per_mat_i_teh_2_2017_167_169.pdf (565,64 KB)

Дата

Authors

Толстихина, А. Л.

Кашевич, И. Ф.

Белугина, Н. В.

Мозжаров, С. Е.

Шут, В. Н.

Издатель

Витебский государственный технологический университет

Аннотация

отсутствует

Ключевые слова

структуры кристаллов , доменные структуры , исследование структур , сегнетоэлектрические кристаллы , двухслойные кристаллы ТГС , формирование структур , кристаллы триглицинсульфата , выращивание кристаллов , кристаллы ТГС , легированные хромом кристаллы

Цитирование

Особенности формирования доменной структуры на границе слоев кристаллов ТГС, легированных хромом / А. Л. Толстихина [и др.] // Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси". - Витебск, 2017. - Ч. 2. - С. 167-169.

URI

http://rep.vstu.by/handle/123456789/10308

Коллекции

Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. Ч. 2.

Полная страница элемента