Formation of domain configurations of doped layered TGS ferroelectric crystals

Tolstikhina, A. L.; Gainutdinov, R. V.; Lashkova, А. К.; Zolotov, D. A.; Roshchin, B. S.; Shut, V. N.; Mozzharov, S. E.; Kashevich, I. F.; Шут, В. Н.

ISSN 2522-1647

Formation of domain configurations of doped layered TGS ferroelectric crystals

Tolstikhina, A. L.; Gainutdinov, R. V.; Lashkova, А. К.; Zolotov, D. A.; Roshchin, B. S.; Shut, V. N.; Mozzharov, S. E.; Kashevich, I. F.; Шут, В. Н.

URI: https://rep.vstu.by/handle/123456789/20623

Дата: 2023

Библиографическое описание:

Formation of domain configurations of doped layered TGS ferroelectric crystals / A. L. Tolstikhina, R. V. Gainutdinov, A. K. Lashkova [et al.] // Актуальные проблемы физики твердого тела = Аctual problems of solid state physics : сборник докладов Х Международной научной конференции, Минск, 22-26 мая 2023 г. / НАН Беларуси, НПЦ НАН Беларуси по материаловедению. - Минск, 2023. - С. 331-334. - Библиогр.: с. 334 (7 назв.).

Аннотация:

A comprehensive study of the growth striped structure of triglycine sulfate crystals doped layer by layer with an impurity of chromium ions has been carried out. Data on the width and impurity composition of the bands were obtained by X-ray fluorescence analysis and X-ray topography.

Ключевые слова:

сегнетоэлектрики; сегнетоэлектрические кристаллы; слоистые кристаллы; легированные кристаллы; кристаллы триглицинсульфата; кристаллы TGS; TGS кристаллы; примеси в кристаллах; доменные стенки; доменная структура; формирование доменной структуры; анализ формирования; рентгенофлуоресцентный анализ

Показать полную информацию