Заряженные доменные границы в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах

Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.

ISSN 2522-1647

dc.contributor.author	Шут, В. Н.
dc.contributor.author	Мозжаров, С. Е.
dc.contributor.author	Кашевич, И. Ф.
dc.date.accessioned	2025-04-01T11:46:35Z
dc.date.available	2025-04-01T11:46:35Z
dc.date.issued	2025
dc.identifier.citation	Шут, В. Н. Заряженные доменные границы в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах / В. Н. Шут, С. Е. Мозжаров, И. Ф. Кашевич // Наука - образованию, производству, экономике : материалы 77 Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 28 февраля 2025 г. / ВГУ им. П. М. Машерова. - Витебск, 2025. - С. 55-57. - Библиогр.: с. 57 (5 назв.).	ru_RU
dc.identifier.uri	https://rep.vstu.by/handle/123456789/20406
dc.description	кристаллография; кристаллы; слоистые кристаллы; сегнетоэлектрические кристаллы; сегнетоэлектрики; доменные стенки; доменные границы; заряженные доменные границы	ru_RU
dc.format.mimetype	application/pdf	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	Витебский государственный технологический университет	ru_RU
dc.title	Заряженные доменные границы в слоистых сегнетоэлектрических кристаллах	ru_RU
dc.type	Article	ru_RU