Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr

Толстихина, А. Л.; Рощин, Б. С.; Кашевич, И. Ф.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.

ISSN 2522-1647

dc.contributor.author	Толстихина, А. Л.
dc.contributor.author	Рощин, Б. С.
dc.contributor.author	Кашевич, И. Ф.
dc.contributor.author	Шут, В. Н.
dc.contributor.author	Мозжаров, С. Е.
dc.date.accessioned	2025-02-18T11:16:48Z
dc.date.available	2025-02-18T11:16:48Z
dc.date.issued	2022
dc.identifier.citation	Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr / А. Л. Толстихина, Б. С. Рощин, И. Ф. Кашевич [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы 74 Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 18 февраля 2022 г. / ВГУ им. П. М. Машерова. - Витебск, 2022. - С. 46-48. - Библиогр.: с. 48 (1 назв.).	ru_RU
dc.identifier.uri	https://rep.vstu.by/handle/123456789/20299
dc.description	кристаллы; монокристаллы; легированные кристаллы; сегнетоэлектрические кристаллы; примеси кристаллов; распределение примесей; доменные границы; формирование границ	ru_RU
dc.format.mimetype	application/pdf	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	Витебский государственный технологический университет	ru_RU
dc.title	Особенности формирования доменных границ в сегнетоэлектрических послойно легированных кристаллах TGS-TGS+Cr	ru_RU
dc.type	Article	ru_RU