Ростовая структура кристаллов TGS, послойно легированных примесью хрома и L-а-аланина

Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Рощин, Б. С.; Лашкова, А. К.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.

ISSN 2522-1647

Ростовая структура кристаллов TGS, послойно легированных примесью хрома и L-а-аланина

Толстихина, А. Л.; Гайнутдинов, Р. В.; Рощин, Б. С.; Лашкова, А. К.; Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.

URI: https://rep.vstu.by/handle/123456789/20238

Дата: 2023

Библиографическое описание:

Ростовая структура кристаллов TGS, послойно легированных примесью хрома и L-а-аланина / А. Л. Толстихина, Р. В. Гайнутдинов, Б. С. Рощин [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы 75 Региональной научно-практической конференции преподавателей, научных сотрудников и аспирантов, Витебск, 03 марта 2023 г. / ВГУ им. П. М. Машерова. - Витебск, 2023. - С. 58-61. - Библиогр.: с. 61 (3 назв.).

Ключевые слова:

кристаллы; сегнетоэлектрические кристаллы; TGS кристаллы; легированные кристаллы; примеси хрома; примеси L-а-аланина; структуры кристаллов; ростовые структуры; регулярная доменная структура; исследование структур

Показать полную информацию