Показать сокращенную информацию
dc.contributor.author | Корниенко, А. А. | |
dc.contributor.author | Дунина, Е. Б. | |
dc.contributor.author | Фомичева, Л. А. | |
dc.contributor.author | Сапежинский, В. С. | |
dc.date.accessioned | 2024-06-17T11:08:53Z | |
dc.date.available | 2024-06-17T11:08:53Z | |
dc.date.issued | 2005 | |
dc.identifier.citation | Разработка алгоритма определения параметров интенсивности актиноидов по данным межконфигурационного взаимодействия : отчет о НИР (заключительный) : 2005-Г/Б-332 / УО "ВГТУ" ; науч. рук. А. А. Корниенко. - Витебск, 2005. - 31 с. : табл. - Спис. лит. | ru_RU |
dc.identifier.uri | http://rep.vstu.by/handle/123456789/18714 | |
dc.description | НИР | ru_RU |
dc.description | работы научно-исследовательские | ru_RU |
dc.description | кристаллы лазерные | ru_RU |
dc.description | стекла | ru_RU |
dc.description | уран | ru_RU |
dc.description | америций | ru_RU |
dc.description | интенсивность кристаллов | ru_RU |
dc.description.abstract | Выполнено описание абсорбционных переходов и определены параметры интенсивности иона U4 в приближении промежуточного и сильного конфигурационного взаимодействия. Установлено, что возбужденные конфигурации дают значительный вклад в интенсивности межмультиплетных переходов. Впервые для иона А т 3' определены параметры ковалентности и параметры кристаллического поля нечетной симметрии на основе анализа штарковской структуры мультиплетов. | ru_RU |
dc.format.mimetype | application/pdf | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Витебский государственный технологический университет | ru_RU |
dc.subject | Физическая химия | ru_RU |
dc.title | Разработка алгоритма определения параметров интенсивности актиноидов по данным межконфигурационного взаимодействия | ru_RU |
dc.type | Other | ru_RU |
dcterms.audience | Researchers | ru_RU |
dcterms.audience | Undergraduates | ru_RU |
dcterms.audience | Postgraduates | ru_RU |
dcterms.audience | Scientists | ru_RU |