Исследование доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с периодическим распределением примеси

Шут, В. Н.; Мозжаров, С. Е.; Кашевич, И. Ф.; Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.; Белугина, Н. В.; Shut, V.; Mozzharov, S.; Kashevich, I.; Gainutdinov, R.; Tolstikhina, A.; Belugina, N.

Главная
→
Периодические издания
→
Вестник Витебского государственного технологического университета
→
2015 выпуск 28
→
Просмотр элемента

ISSN 2522-1647

dc.contributor.author	Шут, В. Н.
dc.contributor.author	Мозжаров, С. Е.
dc.contributor.author	Кашевич, И. Ф.
dc.contributor.author	Гайнутдинов, Р. В.
dc.contributor.author	Толстихина, А. Л.
dc.contributor.author	Белугина, Н. В.
dc.contributor.author	Shut, V.
dc.contributor.author	Mozzharov, S.
dc.contributor.author	Kashevich, I.
dc.contributor.author	Gainutdinov, R.
dc.contributor.author	Tolstikhina, A.
dc.contributor.author	Belugina, N.
dc.date.accessioned	2016-06-16T08:22:17Z
dc.date.accessioned	2016-06-20T11:44:55Z
dc.date.available	2016-06-16T08:22:17Z
dc.date.available	2016-06-20T11:44:55Z
dc.date.issued	2015
dc.date.issued
dc.identifier.citation	Исследование доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с периодическим распределением примеси / В. Н. Шут [и др.] // Вестник Витебского государственного технологического университета. - 2015. - Вып. 28. - С. 148-155. - Библиогр.: с. 154-155 (12 назв.).	ru_RU
dc.identifier.issn	2079-7958
dc.identifier.uri	http://rep.vstu.by/handle/123456789/121
dc.description	неоднородные сегнетоэлектрики	ru_RU
dc.description	сегнетоэлектрические кристаллы	ru_RU
dc.description	кристаллы триглицинсульфата	ru_RU
dc.description	триглицинсульфат	ru_RU
dc.description	монокристаллы триглицинсульфата	ru_RU
dc.description	состав монокристаллов	ru_RU
dc.description	послойно-периодические изменения	ru_RU
dc.description	структуры кристаллов	ru_RU
dc.description	доменные структуры	ru_RU
dc.description.abstract	В результате выполнения работы выращены монокристаллы триглицинсульфата с заданным послойно-периодическим изменением состава с различным периодом роста, проведено исследование доменной структуры кристаллов в зависимости от пирамиды роста и от периода роста. Показано, что образование примесных полос в кристалле происходит по-разному в зависимости от пирамиды роста. Установлено, что регулярное введение примеси приводит к образованию полос со специфической мелкодисперсной доменной структурой. Плотность доменных границ в слоях с неизоморфной примесью приблизительно в 2 раза выше, чем в слоях без примеси. Полученные результаты могут быть использованы для получения активных элементов ИК-детекторов и пировидиконов на основе кристаллов триглицинсульфата.	ru_RU
dc.format.mimetype	application/pdf	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	Витебский государственный технологический университет	ru_RU
dc.source	Вестник Витебского государственного технологического университета. - 2015. - Вып. 28	ru_RU
dc.subject	Химическая технология и экология
dc.title	Исследование доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата с периодическим распределением примеси	ru_RU
dc.title.alternative	Study of the domain structure of ferroelectric crystals TGS with a periodic distribution of the impurity
dc.type	Article	ru_RU