Образование дефектов структуры в тонких плёнках прямозонных полупроводников Cu(In,Ga)Se[2], облученных ионами водорода

Бородавченко, О. М.; Живулько, В. Д.; Якушев, М. В.; Мудрый, А. В.; Сулимов, М. А.

Главная
→
Материалы конференций, семинаров
→
Международные конференции
→
Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. Ч. 2.
→
Просмотр элемента

ISSN 2522-1647

dc.contributor.author	Бородавченко, О. М.
dc.contributor.author	Живулько, В. Д.
dc.contributor.author	Якушев, М. В.
dc.contributor.author	Мудрый, А. В.
dc.contributor.author	Сулимов, М. А.
dc.date.accessioned	2019-02-21T07:36:47Z
dc.date.available	2019-02-21T07:36:47Z
dc.date.issued	2017
dc.identifier.citation	Образование дефектов структуры в тонких плёнках прямозонных полупроводников Cu(In,Ga)Se[2], облученных ионами водорода / О. М. Бородавченко [и др.] // Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси". - Витебск, 2017. - Ч. 2. - С. 158-160.	ru-RU
dc.identifier.issn		ru-RU
dc.identifier.uri	http://rep.vstu.by/handle/123456789/10305
dc.description	облучение ионами
dc.description	тонкие плёнки Cu(In
dc.description	Ga)Se[2]
dc.description	дефекты структур
dc.description	образование дефектов
dc.description	прямозонные полупроводники
dc.description	структуры плёнок
dc.description	ионы водорода
dc.description	облученные полупроводники
dc.description.abstract
dc.format.mimetype	application/pdf	ru-RU
dc.language.iso	rus	ru-RU
dc.publisher	Витебский государственный технологический университет	ru-RU
dc.source	Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси"	ru-RU
dc.title	Образование дефектов структуры в тонких плёнках прямозонных полупроводников Cu(In,Ga)Se[2], облученных ионами водорода	ru-RU
dc.type	Article	ru-RU