Влияние гамма-излучения на параметры N-канальных МОП-транзисторов c КНИ-структурой

ISSN 2522-1647

Показать сокращенную информацию

dc.contributor.author Коршунов, Ф. П.
dc.contributor.author Огородников, Д. А.
dc.contributor.author Богатырев, Ю. В.
dc.contributor.author Сорока, С. А.
dc.contributor.author Ластовский, С. Б.
dc.date.accessioned 2019-02-21T07:25:30Z
dc.date.available 2019-02-21T07:25:30Z
dc.date.issued 2017
dc.identifier.citation Влияние гамма-излучения на параметры N-канальных МОП-транзисторов c КНИ-структурой / Ф. П. Коршунов [и др.] // Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси". - Витебск, 2017. - Ч. 2. - С. 125-127. ru-RU
dc.identifier.issn ru-RU
dc.identifier.uri http://rep.vstu.by/handle/123456789/10294
dc.description транзисторы
dc.description технология КНИ
dc.description полупроводниковые приборы
dc.description производство транзисторов
dc.description технологии производства
dc.description гамма-излучения
dc.description МОП/КНИ-транзисторы
dc.description структура транзисторов
dc.description КНИ-структура
dc.description N-канальные МОП/КНИ-транзисторы
dc.description технология «кремний на изоляторе»
dc.description параметры транзисторов
dc.description.abstract
dc.format.mimetype application/pdf ru-RU
dc.language.iso rus ru-RU
dc.publisher Витебский государственный технологический университет ru-RU
dc.source Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси" ru-RU
dc.title Влияние гамма-излучения на параметры N-канальных МОП-транзисторов c КНИ-структурой ru-RU
dc.type Article ru-RU


Файлы в этом документе

Icon
Имя: per_mat_i_teh_2_2 ...
Размер: 712.1Kb
Формат: PDF
Открыть

Данный элемент включен в следующие коллекции

Показать сокращенную информацию

Яндекс.Метрика