Влияние гамма-излучения на параметры N-канальных МОП-транзисторов c КНИ-структурой

Коршунов, Ф. П.; Огородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Сорока, С. А.; Ластовский, С. Б.

ISSN 2522-1647

dc.contributor.author	Коршунов, Ф. П.
dc.contributor.author	Огородников, Д. А.
dc.contributor.author	Богатырев, Ю. В.
dc.contributor.author	Сорока, С. А.
dc.contributor.author	Ластовский, С. Б.
dc.date.accessioned	2019-02-21T07:25:30Z
dc.date.available	2019-02-21T07:25:30Z
dc.date.issued	2017
dc.identifier.citation	Влияние гамма-излучения на параметры N-канальных МОП-транзисторов c КНИ-структурой / Ф. П. Коршунов [и др.] // Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси". - Витебск, 2017. - Ч. 2. - С. 125-127.	ru-RU
dc.identifier.issn		ru-RU
dc.identifier.uri	http://rep.vstu.by/handle/123456789/10294
dc.description	транзисторы
dc.description	технология КНИ
dc.description	полупроводниковые приборы
dc.description	производство транзисторов
dc.description	технологии производства
dc.description	гамма-излучения
dc.description	МОП/КНИ-транзисторы
dc.description	структура транзисторов
dc.description	КНИ-структура
dc.description	N-канальные МОП/КНИ-транзисторы
dc.description	технология «кремний на изоляторе»
dc.description	параметры транзисторов
dc.description.abstract
dc.format.mimetype	application/pdf	ru-RU
dc.language.iso	rus	ru-RU
dc.publisher	Витебский государственный технологический университет	ru-RU
dc.source	Перспективные материалы и технологии : материалы международного симпозиума, Витебск, 22-26 мая 2017 г. : в 2 ч. / УО "ВГТУ", ГНУ "Институт технической акустики НАН Беларуси"	ru-RU
dc.title	Влияние гамма-излучения на параметры N-канальных МОП-транзисторов c КНИ-структурой	ru-RU
dc.type	Article	ru-RU